NAND闪存无疑是当下甚至未来最干流的存储技能，但也有不少新的存储技能在探究和推动，Intel 3D XPoint(傲腾)便是典型代表(曾与美光协作研制现在已分手)，产品也是多点开花，Intel对它较为倚重。
不过，铠侠(Kioxia/原东芝存储)关于Intel傲腾技能却有些嗤之以鼻，以为仍是应该坚持走NAND道路，尤其是自家新研制的XL-Flash技能更有远景。
Intel 3D XPoint存储运用相变资料来调理存储单元的电阻，再经过电子选择器开关来访问，经过替换改动字线和位线的方向保比特位可寻址特性。假如需求堆叠更多层数，就需求添加额定的字线和位线，以及其间的单元。
铠侠以为，3D XPoint傲腾这种存储技能存在许多缺点，尤其是依然局限于单层，而比较于在每一层内添加比特位，添加层数会导致复杂性、本钱急剧添加，控制电路也会丢失一部分面积，并极度影响产能。
比较之下，3D NAND闪存技能要老练得多，蚀刻和填充过程可以一次掩盖多层，现在已有很多的90多层产品已上市，100多层的也就在不远处，这是一种卓有成效的思路，面积上的丢失简直为零，产能影响也很小。
别的，3D NAND的本钱会跟着层数的继续不断的添加而继续下降，虽然会渐渐的不明显，可是3D XPoint技能在堆叠到四五层后，本钱反而会敏捷添加，失掉扩展性。
当然，铠侠的这一番言辞意图仍是推销自家的XL-Flash，上一年8月份才刚刚提出，将在本年大规模量产。
这种技能介于传统DRAM内存、NAND Flash闪存之间，可以理解为一种选用3D立体封装、推迟超低的SLC闪存，单Die容量128Gb，支撑两个、四个、八个Die整合封装，单颗容量最大128GB，并且分成了多达16层，推迟不超越5微秒。
关于这样的说法，Intel必定不会赞同。事实上，Intel一直在并行开展3D NAND、3D XPoint，前者现已量产96层QLC，下一年还会有144层QLC，后者也预备好了扩展到双层，未来还有四层、八层。
Intel还已泄漏，下代傲腾产品“Aerospike”估计能做到130万左右的超高IOPS，是现在傲腾SSD DC P4800X的大约三倍，更是NAND闪存硬盘的四倍多，一起失败率极低，只要NAND闪存的大约50分之一，而作为拿手好戏的推迟更是一骑绝尘。
此外针对3D NAND闪存，Intel、铠侠等都在研讨5个比特位的PLC。
